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这意味着ROM在被各种不同方法包围之前就被编程了。 不意味着设备可重新编程：
U.S。拍。美国专利No.4,295,209公开了通过在金属化之前立即通过覆盖的磷硅酸盐玻璃层中的开口进行离子注入来对IGFET ROM进行后期编程。通过ROM中选定的IGFET的多晶硅栅电极完成离子注入。 ROM中的小尺寸保存在美国专利No.美国专利No.4,295,209通过在磷硅酸盐玻璃层正下方引入氮化硅涂层。因此，当在磷硅酸盐玻璃层中蚀刻注入开口时，多晶硅栅电极不暴露。因此，金属线可以直接穿过植入开口而不接触栅电极。然而，氮化硅涂层通常很薄，并且在注入窗口内的漏极线和多晶硅栅极之间可能存在电容耦合。在较大尺寸的ROM中，这种电容耦合可能变得足够大，从而降低ROM的速度。
在我们上述同时提交的Ser。在美国专利No.268,086中，我们公开了一种不同的后期编程过程，通过该过程可以用通常结构的ROM保持高操作速度。 我们现在已经发现了一种技术，通过该技术可以以与前述美国专利No.4,522,587中所述的基本相同的方式使用离子注入。美国专利号4,295,209，但在较大的ROM中没有较慢的操作速度或扩大的尺寸。我们发现了美国专利No.第4,295,209号后期编程方法对于独特配置的高密度ROM是有效的。这种独特的配置以前是已知的，被称为六边形ROM。这种独特的配置不需要金属线穿过可回流玻璃层中的植入窗口。因此，电容耦合最小化。因此，保留了最高速度和最大ROM密度。